一种制备三维ZnO纳米线网的方法

	一种制备三维ZnO纳米线网的方法
	王亮; 陆文强; 宋金会; 冯双龙; 王凤丽; 李振湖
	2016-01-20
著作权人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
专利号	2014107185973
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在洗净GaN衬底表面涂覆HAuCl4与还原剂和聚合物的混合溶液；在高温管式真空炉中间放置盛有化学反应物的舟，化学反应物包括ZnO粉和石墨粉，其气流下游位置放置衬底，抽真空，把真空管加热到800-1200℃，然后通入氧气和工作气体，控制压强到30-400毫巴，生长时间大于20min，然后让真空管式炉自然降温，在GaN衬底上即可制备出三维ZnO纳米线网络。本发明方法简单，利用聚合物诱导三维纳米线网络生长。制备的纳米线取向有垂直衬底和平行衬底两类，构成有序三维纳米线网络结构，具有极大的应用价值。
分类号	C01G9/02(2006.01)I; B82Y30/00(2011.01)I
申请日期	2014-12-01
语种	中文
状态	已授权
内容类型	专利
源URL	[http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/5529]
专题	微纳制造与系统集成研究中心
作者单位	(1)中国科学院重庆绿色智能技术研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	王亮,陆文强,宋金会,等. 一种制备三维ZnO纳米线网的方法. 2014107185973. 2016-01-20.