离子辐照GaAs的光致发光和拉曼散射研究

	离子辐照GaAs的光致发光和拉曼散射研究
	杨迪; 孙梦利; 袁伟; 杜鑫; 彭海波; 王铁山; 郭红霞
刊名	核技术
	2016
卷号	39 期号:10 页码:100201-1-100201-7
关键词	GaAs 辐照效应光致发光谱拉曼散射谱
ISSN号	0253-3219
中文摘要	利用250 keV质子和4.5 MeV氪离子(Kr~(17+))辐照未掺杂GaAs,注量分别为1×10~(12)-3×10~(14) cm~(-2)和3×10~(11)-3×10~(14) cm~(-2),使用光致发光谱和拉曼散射谱分析表征。发光谱的结果表明,随着剂量增大,质子辐照后的C_(As)峰及其声子伴线逐渐减弱,913 nm处的复合缺陷峰则先增大后减小,此峰与材料制备时的Cu掺杂无关。Kr离子辐照后本征发光峰则完全消失。拉曼散射谱的结果表明,相比于质子辐照,Kr离子辐照后LO声子峰峰位向低频方向移动,出现非对称性展宽,晶体结构发生明显改变。质子和Kr离子辐照效应的差异是由于移位损伤相差至少三个量级造成的。最后采用多级损伤累积(Multi-step damage accumulation, MSDA)模型得到了材料内缺陷的演化过程,并很好地解释了随损伤剂量增大GaAs光学性能及晶体结构的变化趋势。
出版地	SHANGHAI
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/186700]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	杨迪,孙梦利,袁伟,等. 离子辐照GaAs的光致发光和拉曼散射研究[J]. 核技术,2016,39(10):100201-1-100201-7.
APA	杨迪.,孙梦利.,袁伟.,杜鑫.,彭海波.,...&郭红霞.(2016).离子辐照GaAs的光致发光和拉曼散射研究.核技术,39(10),100201-1-100201-7.
MLA	杨迪,et al."离子辐照GaAs的光致发光和拉曼散射研究".核技术 39.10(2016):100201-1-100201-7.