D-D中子辐照单晶TiO_2的损伤特性

	D-D中子辐照单晶TiO_2的损伤特性
	许楠楠; 李公平; 王云波; 钟火平; 李天晶; 龚恒凤; 王宝义; 李卓昕
刊名	核技术
	2012-02-10
期号	2 页码:98-103
关键词	单晶TiO2 D-D中子辐照损伤正电子
ISSN号	0253-3219
中文摘要	利用兰州大学强流中子发生器出射的单能D-D中子对单晶TiO2(金红石相)进行辐照,分别测量了样品的正电子寿命谱及XRD谱。中子辐照会在样品内部产生大量的空位缺陷,由于晶格中Ti原子的位移阈能约为O原子的2倍,因此中子辐照在样品内部产生的空位缺陷以氧空位(VO)为主。结果表明,单晶内部捕获正电子的陷阱Ti空位(VTi)在中子辐照后电子密度增大,可能与Ti空位周围O空位的引入有关,O空位的出现减弱了Ti空位处的库仑排斥作用,使空位体积减少。后续测试的XRD也得到相同的结果,样品由于中子辐照而在c轴方向的晶面间距发生变化,并导致单晶TiO2的结晶度变差。
出版地	SHANGHAI
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/131177]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	许楠楠,李公平,王云波,等. D-D中子辐照单晶TiO_2的损伤特性[J]. 核技术,2012(2):98-103.
APA	许楠楠.,李公平.,王云波.,钟火平.,李天晶.,...&李卓昕.(2012).D-D中子辐照单晶TiO_2的损伤特性.核技术(2),98-103.
MLA	许楠楠,et al."D-D中子辐照单晶TiO_2的损伤特性".核技术 .2(2012):98-103.