170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额

	170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额
	马新文; 申自勇; 刘惠萍; 杨治虎; 王友德; 陈熙萌; 吕魁; 刘兆远
刊名	核技术
	1999-12-10
期号	12 页码:705-707
关键词	离子原子碰撞多重电离反冲离子产额
ISSN号	0253-3219
中文摘要	利用１７０ＭｅＶ的Ｓ(９＋)与Ａｒ原子气体靶发生碰撞反应，采用高能离子引起的多重电离的飞行时间技术，测量了反冲离子相对产额，并与多体经典轨道蒙特卡罗理论的计算结果进行了对比分析，发现理论低估了较高电荷态反冲离子的产额。
出版地	SHANGHAI
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130845]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	马新文,申自勇,刘惠萍,等. 170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额[J]. 核技术,1999(12):705-707.
APA	马新文.,申自勇.,刘惠萍.,杨治虎.,王友德.,...&刘兆远.(1999).170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额.核技术(12),705-707.
MLA	马新文,et al."170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额".核技术 .12(1999):705-707.