原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响

	原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响
	邵乐喜; 刘小平; 屈菊兰; 谢二庆; 贺德衍; 陈光华
	2001-10-01
会议名称	第四届中国功能材料及其应用学术会议
关键词	氮掺杂 CVD金刚石薄膜结构形貌
页码	3
中文摘要	以氮气为杂质源,采用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)技术进行了金刚石薄膜的原位掺杂,研究了氮掺杂对CVD金刚石薄膜的形貌结构和生长行为的影响.运用SEM、XRD和FTIR等手段对样品进行分析表征。实验结果表明,原位氮掺杂的CVD金刚石薄膜的晶面显露、晶粒尺寸、致密性和生长速率等均强烈地依赖于反应气体中氮源浓度比; 如果氮源气体流量适当,杂质氮不仅能进入金刚石薄膜晶格中,还能与薄膜中碳原子形成化学键结合.
会议录	第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107990]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	邵乐喜,刘小平,屈菊兰,等. 原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响[C]. 见:第四届中国功能材料及其应用学术会议.