退火对多孔硅材料发光性能的影响

	退火对多孔硅材料发光性能的影响
	李卓昕; 王丹妮; 秦秀波; 王宝义; 魏龙; 薛德胜
	2009-11-01
会议名称	第十届全国正电子湮没谱学会议
关键词	多孔硅正电子湮没发光机理光谱测量关联谱真空退火电子偶素微观缺陷发光强度量子限制效应
页码	2
中文摘要	本文采用正电子湮没寿命谱和正电子寿命-动量关联谱(AMOC)对不同温度下真空退火以及水蒸气环境下退火的多孔硅样品的微观缺陷结构进行了表征,结合发射光谱测量结果对多孔硅材料的发光机理进行了讨论。
会议录	第十届全国正电子湮没谱学会议论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107969]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李卓昕,王丹妮,秦秀波,等. 退火对多孔硅材料发光性能的影响[C]. 见:第十届全国正电子湮没谱学会议.