射频溅射法制备纳米SiC薄膜的电学和光学性质研究

	射频溅射法制备纳米SiC薄膜的电学和光学性质研究
	张军; 林洪峰; 付玉军; 叶凡; 谢二庆; 邵乐喜
	2006-09-01
会议名称	2006年材料科学与工程新进展——“2006北京国际材料周”
关键词	射频溅射纳米SiC薄膜电导透过谱
页码	5
中文摘要	利用磁控射频溅射法在石英衬底上制备了纳米SiC薄膜。研究了衬底温度对薄膜的结构,电学和光学性能的影响。X射线衍射(XRD)与原子力显微镜 (AFM)结果表明,衬底温度为700℃时制备的薄膜是由平均直径为70nm结晶状态良好的4H-SiC纳米颗粒组成。实验测量了样品的电导率随温度的变化关系,并计算出相应的电导激活能。利用紫外-可见分光光度计研究了衬底温度对薄膜光学性能的影响,结果表明纳米SiC薄膜的光学带隙可以通过改变衬底温度来调节。这种带隙可调的纳米SiC薄膜在未来的光电器件应用领域将会有一定的实用价值。
会议录	2006年材料科学与工程新进展——“2006北京国际材料周”论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107954]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张军,林洪峰,付玉军,等. 射频溅射法制备纳米SiC薄膜的电学和光学性质研究[C]. 见:2006年材料科学与工程新进展——“2006北京国际材料周”.