氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素

	氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素
	马占洁; 陈光华; 何斌; 刘国汉; 朱秀红; 张文理; 李志中; 郜志华; 宋雪梅; 邓金祥
	2006-09-01
会议名称	全国薄膜技术学术研讨会
关键词	a-Si:H 光衰退稳定性氢运动微晶硅
页码	3
中文摘要	用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运动情况均对非晶硅材料的稳定性起着十分重要的作用,另一方面,在非晶硅的基体上生长少量微晶硅,可提高薄膜的稳定性。最终希望能通过两者的结合来探讨如何制备高光敏性和低光致衰退的非晶硅薄膜。
会议录	全国薄膜技术学术研讨会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107943]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	马占洁,陈光华,何斌,等. 氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素[C]. 见:全国薄膜技术学术研讨会.