近空间升华制备CdTe多晶薄膜沉积过程的研究

	近空间升华制备CdTe多晶薄膜沉积过程的研究
	郑华靖; 张静全; 冯良桓; 蔡亚平; 蔡伟; 郑家贵; 武莉莉; 李卫; 黎兵; 雷智
	2004-11-01
会议名称	第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛
关键词	CdTe 近空间升华多晶薄膜
页码	5
中文摘要	近空间升华技术制各CdTe多晶薄膜中,薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程。深入研究沉积过程中的热交换、物质输运,有助于制备薄而致密的具有进行良好光电性质CdTe薄膜。本文首先分析了近空间沉积的物理机制,然后测量了近空间沉积装置内温度分布,讨论了升温过程、气压与薄膜的初期成核的关系,优化升温过程,在此基础上制备出了转换效率为6.46%的结构为SnO_2:F/CdS/CdTe/Au的集成电池。
会议录	第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107917]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	郑华靖,张静全,冯良桓,等. 近空间升华制备CdTe多晶薄膜沉积过程的研究[C]. 见:第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛.