采用热丝辅助MW-ECRCVD法制备高性能a-Si:H薄膜

	采用热丝辅助MW-ECRCVD法制备高性能a-Si:H薄膜
	张文理; 陈光华; 何斌; 朱秀红; 马占洁; 丁毅; 刘国汉; 郜志华; 宋雪梅; 邓金祥
	2005-09-01
会议名称	TFC'05全国薄膜技术学术研讨会
关键词	MW-ECRCVD法 a-Si:H 热丝氢化非晶硅电池研究平板显示器光敏性能量转化率分解率核心材料
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中文摘要	氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜是硅基薄膜太阳电池的核心材料,而且作为薄膜场效应晶体管在电子摄像,大面积平板显示器等领域的应用也有很大进展。高光敏性及高稳定型的a-Si∶H薄膜的制备,始终是硅基薄膜太阳电池研究和应用中的关键技术,受到各国相关领域的高度重视。我们采用热丝辅助的MW ECR-CVD系统制备氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜。MW ECR-CVD系统产生的等离子体具有能量转化率高,气体分解率高、激发态产物种类较多和基团浓度高
会议录	TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107860]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张文理,陈光华,何斌,等. 采用热丝辅助MW-ECRCVD法制备高性能a-Si:H薄膜[C]. 见:TFC'05全国薄膜技术学术研讨会.