n-BN／p-Si薄膜异质结的Ⅰ-Ⅴ特性

	n-BN／p-Si薄膜异质结的Ⅰ-Ⅴ特性
	陈浩; 邓金祥; 陈光华; 刘钧锴; 田凌
	2006-09-01
会议名称	全国薄膜技术学术研讨会
关键词	n-BN／p-Si薄膜异质结伏安特性离子注入退火温度
页码	3
中文摘要	用射频溅射系统制备了BN薄膜,并且用离子注入的方法在BN薄膜中注入S,从而成功制备了n-BN／p-Si薄膜异质结,并研究了异质结的电学性质。注入S的BN薄膜是用13．56 MHz射频溅射系统沉积在p型Si(100)(5-6 Ω·cm)衬底上, 靶材为h-BN靶(纯度为99．99％)。离子注入时,注入离子的能量为190 keV,注入剂量为1015／cm2。对注入后的薄膜进行了退火处理(退火温度为600℃),用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了2 mm×5 mm的铝电极,以便测量掺杂后异质结的电学性质。实验结果表明:离子注入掺杂后制备的n-BN／p-Si异质结的Ⅰ-Ⅴ曲线具有明显的整流特性,其正向导电特...
会议录	全国薄膜技术学术研讨会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107825]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈浩,邓金祥,陈光华,等. n-BN／p-Si薄膜异质结的Ⅰ-Ⅴ特性[C]. 见:全国薄膜技术学术研讨会.