Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究

	Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究
	杨啸林; 阮成礼; 葛世慧; 席力
刊名	电子科技大学学报/Dianzi Keji Daxue Xuebao/Journal of the University of Electronic Science and Technology of China
	2006-12-20
卷号	35 期号:6 页码:964-966
关键词	颗粒膜磁性电阻率霍尔效应
ISSN号	10010548
其他题名	Study on hall effect of Fe-Si-O granular films
通讯作者	Yang, X.-L.
中文摘要	利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属含量x的Fex(SiO2)(1?x)金属?绝缘体颗粒膜,系统地研究了薄膜的霍尔效应及其产生机理。在室温和1.3T的磁场下,当体积分数为0.52时,霍尔电阻率有最大值为18.5μ?·cm。样品的电阻率温度曲线研究表明异常霍尔电阻率可能来源于3d局域电子-电子的散射作用。在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,饱和霍尔电阻率随温度的变化不大,样品具有良好的热稳定性,这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在300℃下的温度范围内有较好的应用前景。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/178121]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	杨啸林,阮成礼,葛世慧,等. Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究[J]. 电子科技大学学报/Dianzi Keji Daxue Xuebao/Journal of the University of Electronic Science and Technology of China,2006,35(6):964-966.
APA	杨啸林,阮成礼,葛世慧,&席力.(2006).Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究.电子科技大学学报/Dianzi Keji Daxue Xuebao/Journal of the University of Electronic Science and Technology of China,35(6),964-966.
MLA	杨啸林,et al."Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究".电子科技大学学报/Dianzi Keji Daxue Xuebao/Journal of the University of Electronic Science and Technology of China 35.6(2006):964-966.