关于塑封VDMOS器件热点的研究

	关于塑封VDMOS器件热点的研究
	柴彦科; 蒲年年; 谭稀; 徐冬梅; 崔卫兵; 刘肃
刊名	现代电子技术
	2014-09-01
期号	17 页码:113-116
关键词	功率晶体管单雪崩能量测试热点失效分析
其他题名	关于塑封VDMOS器件热点的研究
中文摘要	功率VDMOS器件作为新一代高压大电流功率器件兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,广泛应用于各个领域。由于功率VDMOS的工作条件恶劣,在高温大电压的应用环境下失效概率较大。在所有的失效机制中,很大一部分是由于器件无法承受瞬间高压脉冲,致使器件芯片烧坏失效。表现出的是在芯片某处产生一明显的烧穿点即所谓的"热点"。这里主要介绍了塑封VDMOS器件进行单雪崩能量测试过程和实际应用中不良品产生热点的原因,从二次击穿的角度对其进行理论解释并提出一些改进措施。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107617]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	柴彦科,蒲年年,谭稀,等. 关于塑封VDMOS器件热点的研究[J]. 现代电子技术,2014(17):113-116.
APA	柴彦科,蒲年年,谭稀,徐冬梅,崔卫兵,&刘肃.(2014).关于塑封VDMOS器件热点的研究.现代电子技术(17),113-116.
MLA	柴彦科,et al."关于塑封VDMOS器件热点的研究".现代电子技术 .17(2014):113-116.