Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method

	Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method
	Lin, HF; Xie, EQ; Ma, ZW; Zhang, J; Peng, AH; He, DY
刊名	ACTA PHYSICA SINICA/物理学报
	2004-08
卷号	53 期号:8 页码:2780-2785
关键词	RF sputtering SiC films structure surface morphology field emission
ISSN号	1000-3290
其他题名	射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜
通讯作者	Xie, EQ (reprint author), Lanzhou Univ, Sch Phys Sci & Technol, Lanzhou 730000, Peoples R China.
中文摘要	利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜 ,并利用x射线衍射 (XRD)和红外 (IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析 .XRD结果表明 ,低温制备的SiC薄膜为非晶相 ,而在高温下 (>80 0℃ ) ,薄膜呈现 4H SiC和 3C SiC结晶相 .IR谱显示 ,溅射制备薄膜的吸收特性主要为Si—C键的吸收 .此外 ,还利用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了研究 ,并研究了样品的场发射特性
学科主题	Physics
语种	中文
WOS记录号	WOS:000223179200066
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/103878]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Lin, HF,Xie, EQ,Ma, ZW,et al. Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method[J]. ACTA PHYSICA SINICA/物理学报,2004,53(8):2780-2785.
APA	Lin, HF,Xie, EQ,Ma, ZW,Zhang, J,Peng, AH,&He, DY.(2004).Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method.ACTA PHYSICA SINICA/物理学报,53(8),2780-2785.
MLA	Lin, HF,et al."Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method".ACTA PHYSICA SINICA/物理学报 53.8(2004):2780-2785.