Second-Order Raman Scattering from n- and p-Type 4H-SiC

	Second-Order Raman Scattering from n- and p-Type 4H-SiC
	Gao X(高欣); Sun GS(孙国胜); Li JM(李晋闽); Wang L(王雷); Zhao WS(赵万顺); Zhang YX(张永新); Ceng YP(曾一平)
刊名	半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
	2004-12-08
卷号	25 期号:12 页码:1555-1560
关键词	4H-SiC 二级喇曼谱截止频率 Acoustic overtone Cutoff frequency Energy difference Optical overtone Second order Raman scattering
ISSN号	02534177
其他题名	Second-order Raman scattering from n- and p-type 4H-SiC
通讯作者	Gao, X. (gaoxin@red.semi.ac.cn)
中文摘要	给出了 n型和 p型 4 H- Si C的二级喇曼谱的实验结果 .指认了所观察到的一些光谱结构对应的特定声子支及其在布里渊区中相应的对称点 .发现在 4 H- Si C的二级喇曼谱中存在能量差约为 10 cm- 1的双谱线结构 ,这一结构与六方相 Ga N,Zn O和 Al N的双谱线结构具有相同的能量差 .二级喇曼谱的截止频率对于不同掺杂情况的 4 H- Si C具有相同的值 .它并不等于 n型掺杂 4 H- Si C的 A1 (L O)声子的倍频 ,而是等于未掺杂样品的 A1 (L O)声子的倍频 .掺杂类型和杂质浓度对 4 H- Si C的二级喇曼谱几乎没有影响 .
学科主题	712.1.2 Compound Semiconducting Materials;714.2 Semiconductor Devices and Integrated Circuits;741.1 Light/Optics;804.2 Inorganic Compounds;931.3 Atomic and Molecular Physics
语种	英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102957]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Gao X,Sun GS,Li JM,et al. Second-Order Raman Scattering from n- and p-Type 4H-SiC[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(12):1555-1560.
APA	高欣.,孙国胜.,李晋闽.,王雷.,赵万顺.,...&曾一平.(2004).Second-Order Raman Scattering from n- and p-Type 4H-SiC.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,25(12),1555-1560.
MLA	高欣,et al."Second-Order Raman Scattering from n- and p-Type 4H-SiC".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 25.12(2004):1555-1560.