BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成

	BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成
	杨建红; 汪再兴; 张辉; 闫锐
刊名	电力电子技术
	2007-07-20
期号	7 页码:98-100
关键词	晶体管电学性能/偶极区电导调制双极型晶体管
其他题名	BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成
中文摘要	对大注入情况下的双极型静电感应晶体管(Bipolar Static Induction Transistor,简称BSIT)的特性作了数值分析。器件尺寸为15000nm×200000nm。分析结果表明,当栅源电压大于0.5V时,在适当的漏源电压下,漏电流就会达到饱和。在大注入情况下,漂移区出现电导调制区(Conductivity-modulation Region,简称CMR),漏源电压很小时,就会导致漏电流的剧增。漏电流的饱和与CMR的收缩有关,漏源电压的增加导致CMR的收缩。在CMR收缩时形成了偶极区,该区域是中性区,其空间大小及其中的电场与漏电压呈线性比例关系。这一关系将导致饱和电流随漏...
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102669]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	杨建红,汪再兴,张辉,等. BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成[J]. 电力电子技术,2007(7):98-100.
APA	杨建红,汪再兴,张辉,&闫锐.(2007).BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成.电力电子技术(7),98-100.
MLA	杨建红,et al."BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成".电力电子技术 .7(2007):98-100.