窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究

	窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究
	朱博; 桂永胜; 周文政; 商丽燕; 仇志军; 郭少令; 张福甲; 褚君浩
刊名	物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica
	2006-06-12
卷号	55 期号:6 页码:2955-2960
关键词	磁性二维电子气自旋分裂塞曼分裂拍频
ISSN号	10003290
其他题名	Magnetoresistance oscillation of two-dimensional electrons gas in narrow gap dilute magnetic semiconductor
中文摘要	通过改变温度和磁场方向对调制掺杂的n型Hg0·82Cd0·16Mn0·02Te/Hg0·3Cd0·7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡进行了深入的研究,发现不仅温度的变化能够引起磁阻拍频节点位置的变化.而且改变磁场方向,可以分别调整塞曼分裂和朗道分裂.从对拍频的分析中,可以将依赖于磁场垂直方向的朗道能级分裂和依赖于整个磁场大小的塞曼分裂区分开来.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102586]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	朱博,桂永胜,周文政,等. 窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究[J]. 物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica,2006,55(6):2955-2960.
APA	朱博.,桂永胜.,周文政.,商丽燕.,仇志军.,...&褚君浩.(2006).窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究.物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica,55(6),2955-2960.
MLA	朱博,et al."窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究".物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica 55.6(2006):2955-2960.