原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响

	原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响
	邵乐喜; 刘小平; 屈菊兰; 谢二庆; 贺德衍; 陈光华
刊名	真空科学与技术
	2002-06-30
期号	3 页码:4
关键词	氮掺杂化学气相沉积金刚石薄膜结构形貌
其他题名	原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响
中文摘要	以氮气为杂质源 ,采用微波等离子体化学气相沉积技术进行了金刚石薄膜的原位掺杂 ,研究了氮掺杂对CVD金刚石薄膜的形貌结构和生长行为的影响。运用SEM ,Raman ,XRD和FTIR等手段对样品进行了分析表征。实验结果表明 ,原位氮掺杂的CVD金刚石薄膜的晶面显露、晶粒尺寸、致密性、生长速率以及薄膜的微结构特征等均强烈地依赖于反应气体中氮源浓度比 ;如果氮源气体流量适当 ,杂质氮不仅能进入金刚石薄膜晶格中 ,还能与薄膜中碳原子形成化学键结合
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102346]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	邵乐喜,刘小平,屈菊兰,等. 原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响[J]. 真空科学与技术,2002(3):4.
APA	邵乐喜,刘小平,屈菊兰,谢二庆,贺德衍,&陈光华.(2002).原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响.真空科学与技术(3),4.
MLA	邵乐喜,et al."原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响".真空科学与技术 .3(2002):4.