在ITO玻璃衬底上制备锆钛酸铅铁电薄膜

	在ITO玻璃衬底上制备锆钛酸铅铁电薄膜
	阎鹏勋; 谢亮; 李义; 王君; 蒋生蕊
刊名	硅酸盐学报/Kuei Suan Jen Hsueh Pao/ Journal of the Chinese Ceramic Society
	2000-10-26
卷号	28 期号:5 页码:407-411
关键词	锆钛酸铅薄膜氧化铟溅射沉积 Ferroelectric properties Sputtering deposition
ISSN号	04545648
其他题名	Depositing Pb(Zr, Ti)O3 ferroelectric thin films on ITO glass substrate
通讯作者	Yan, P.X.
中文摘要	利用射频反应性溅射沉积技术在掺Sn的In2 O3导电透明膜(ITO)衬底上制备了钙钛矿型Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜 .研究了沉积参量与热处理工艺对铁电薄膜结构和性能的影响 .运用X射线衍射、X射线光电子能谱和扫描电镜等技术 ,分析了薄膜的晶体结构、表面形貌和表面元素化学状态 .测量了不同处理条件下薄膜的铁电性能 .结果表明 :在掺Sn的In2 O3导电透明膜衬底上可以得到表面无裂纹、化学计量比符合要求的PZT薄膜 ;薄膜中晶粒均匀分布 ,平均尺寸约 2 50nm ,呈四方状和三角状 ;溅射气氛中氧含量和退火温度对薄膜结构、化学计量比和铁电性能都有明显影响 .
学科主题	537.1 Heat Treatment Processes;708.1 Dielectric Materials;804.2 Inorganic Compounds;812.3 Glass
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102278]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	阎鹏勋,谢亮,李义,等. 在ITO玻璃衬底上制备锆钛酸铅铁电薄膜[J]. 硅酸盐学报/Kuei Suan Jen Hsueh Pao/ Journal of the Chinese Ceramic Society,2000,28(5):407-411.
APA	阎鹏勋,谢亮,李义,王君,&蒋生蕊.(2000).在ITO玻璃衬底上制备锆钛酸铅铁电薄膜.硅酸盐学报/Kuei Suan Jen Hsueh Pao/ Journal of the Chinese Ceramic Society,28(5),407-411.
MLA	阎鹏勋,et al."在ITO玻璃衬底上制备锆钛酸铅铁电薄膜".硅酸盐学报/Kuei Suan Jen Hsueh Pao/ Journal of the Chinese Ceramic Society 28.5(2000):407-411.