宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题

	宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题
	陈光华; 邵乐喜; 贺德衍; 刘小平
刊名	物理
	2000-05-24
期号	5 页码:278-282
关键词	场电子发射宽度隙薄膜材料
其他题名	宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题
中文摘要	介绍了以金刚石为代表的宽带隙薄膜材料场电子发射研究背景和现状 ,对金刚石、类金刚石 (DLC)、立方氮化硼 (c-BN)、氮化铝 (AlN)和碳化硅 (SiC)薄膜场电子发射研究的进展进行了评述 ,着重介绍了发射性能与薄膜的结构特征、杂质含量和处理方法间的关系 ,并讨论了研究中存在的问题 .
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102263]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈光华,邵乐喜,贺德衍,等. 宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题[J]. 物理,2000(5):278-282.
APA	陈光华,邵乐喜,贺德衍,&刘小平.(2000).宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题.物理(5),278-282.
MLA	陈光华,et al."宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题".物理 .5(2000):278-282.