BSIT开态的数值分析

	BSIT开态的数值分析
	李思渊; 刘瑞喜; 李成; 韩永召; 刘肃
刊名	半导体技术
	1996-02-13
期号	1 页码:7
关键词	双极模式静电感应晶体管BSIT 数值模拟开通过程
其他题名	BSIT开态的数值分析
中文摘要	对双极模式静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）开通过程的理论分析和二维数值模拟清楚地表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即正向小栅压（ＶＧ＜０．５Ｖ）下的势垒控制机制转变为大栅压下（ＶＧ＞０．５Ｖ）的少子注入电流控制机制。数值计算给出的结果有：小栅压下沿沟道中心线的电势分布；沿沟道的少子和电场分布；开态的Ｉ－Ｖ特性；通态压降和饱和电流随正栅压的变化；通态电阻随栅压和材料参数的变化；特别是电流增益随栅压、漏电流以及材料参数的变化。上述结果加深了我们对ＢＳＩＴ通导过程和通态特性的物理本质的认识。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102118]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李思渊,刘瑞喜,李成,等. BSIT开态的数值分析[J]. 半导体技术,1996(1):7.
APA	李思渊,刘瑞喜,李成,韩永召,&刘肃.(1996).BSIT开态的数值分析.半导体技术(1),7.
MLA	李思渊,et al."BSIT开态的数值分析".半导体技术 .1(1996):7.