金在SiO_2-Si界面效应的物理化学模型

	金在SiO_2-Si界面效应的物理化学模型
	李思渊; 张秀文; 李寿嵩
刊名	半导体技术
	1980-08-28
期号	4 页码:1-15
关键词	金原子:4927 Si界面:4035 物理化学模型:3485 正电荷:2993 畸变中心:2838 界面态:2797 缺陷中心:2725 过剩硅:2289 层电荷:2286 负电荷效应:2131
其他题名	金在SiO_2-Si界面效应的物理化学模型
中文摘要	金在硅体内的性质早为人们所熟悉并在一系列硅器件和集成电路中得到了广泛的应用.然而,对金在SiO_2-Si界面性质的研究则是近些年才开始的,并且现在还没有完整的图象.大家知道,实际硅器件(包括集成电路)表面,总是有一个SiO_2-Si体系,该体系性质好坏对器件性能,可靠性及稳定性影响极大.体系的好坏取决于多种因素;如界面态的多少及其能量分布,氧化膜或表面上电荷所生电场的大小及方向以及硅界面处施
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101638]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李思渊,张秀文,李寿嵩. 金在SiO_2-Si界面效应的物理化学模型[J]. 半导体技术,1980(4):1-15.
APA	李思渊,张秀文,&李寿嵩.(1980).金在SiO_2-Si界面效应的物理化学模型.半导体技术(4),1-15.
MLA	李思渊,et al."金在SiO_2-Si界面效应的物理化学模型".半导体技术 .4(1980):1-15.