PTCDA_ITO表面和界面的AFM和XPS分析(英文)

	PTCDA_ITO表面和界面的AFM和XPS分析(英文)
	欧谷平; 宋珍; 桂文明; 张福甲
刊名	半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
	2006-02-28
卷号	27 期号:2 页码:229-234
关键词	原子力显微镜 X射线光电子能谱 PTCDA Crystal grains Electronic states Perylenetetracarboxylic dianhydride (PTCDA)
ISSN号	02534177
其他题名	Analysis of PTCDA/ITO surface and interface using X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy
通讯作者	Ou, G.
中文摘要	利用X射线光电子能谱(XPS)对苝四甲酸二酐[3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)]/铟锡氧化物(ITO)表面和界面进行了研究.用原子力显微镜(AFM)对PTCDA/ITO样品的表面形貌进行了分析.XPS表明,在原始表面的C1s精细谱存在两个主谱峰和一个伴峰,主谱峰分别由结合能为284.6eV的苝环中的C原子和结合能为288.7eV的酸酐基团中的C原子激发;而结合能为290.4eV的伴峰的存在,说明发生了来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象.O原子在C O键和C O C键的结合能分别为531.5和533.4eV.在界面处,C1...
学科主题	931.3 Atomic and Molecular Physics;931.2 Physical Properties of Gases, Liquids and Solids;804 Chemical Products Generally;801.4 Physical Chemistry;741.3 Optical Devices and Systems;549.3 Nonferrous Metals and Alloys excluding Alkali and Alkaline Earth Metals;546.2 Tin and Alloys
语种	英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101568]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	欧谷平,宋珍,桂文明,等. PTCDA_ITO表面和界面的AFM和XPS分析(英文)[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(2):229-234.
APA	欧谷平,宋珍,桂文明,&张福甲.(2006).PTCDA_ITO表面和界面的AFM和XPS分析(英文).半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,27(2),229-234.
MLA	欧谷平,et al."PTCDA_ITO表面和界面的AFM和XPS分析(英文)".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 27.2(2006):229-234.