不连续Fe_(25)Ni_(75)_SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应

	不连续Fe_(25)Ni_(75)_SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应
	刘春明; 葛世慧; 姜丽仙; 寇晓明; 李斌生; 池俊红; 王新伟; 李成贤
刊名	兰州大学学报
	2005-06-28
期号	3 页码:75-78
关键词	不连续磁性金属/绝缘体多层膜微结构隧道磁电阻
其他题名	不连续Fe_(25)Ni_(75)/SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应
中文摘要	用射频磁控溅射技术制备了[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N多层膜系列(其中t1和t2分别代SiO2层和Fe25Ni75层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO2(3.3nm)/Fe25Ni75(t2)]10系统,当Fe25Ni75层厚度小于2.4nm时,Fe25Ni75层从连续变为不连续;当Fe25Ni75层不连续时,InR基本上正比于T-1/2,表明导电机制为热激发的隧穿导电;在t2=2.1nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64%.对[SiO2(1.8nm)/Fe25Ni75(1.6nm)]N系统,发现磁电阻先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101562]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘春明,葛世慧,姜丽仙,等. 不连续Fe_(25)Ni_(75)_SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应[J]. 兰州大学学报,2005(3):75-78.
APA	刘春明.,葛世慧.,姜丽仙.,寇晓明.,李斌生.,...&李成贤.(2005).不连续Fe_(25)Ni_(75)_SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应.兰州大学学报(3),75-78.
MLA	刘春明,et al."不连续Fe_(25)Ni_(75)_SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应".兰州大学学报 .3(2005):75-78.