高温退火对反应溅射制备的a-SiC:H薄膜结构的影响

	高温退火对反应溅射制备的a-SiC:H薄膜结构的影响
	王印月; 王辉耀; 王吉政; 郭永平; 陈光华
刊名	无机材料学报/Wuji Cailiao Xuebao/Journal of Inorganic Materials
	1997-06-20
卷号	12 期号:3 页码:351-355
关键词	高温退火反应溅射 a－SiC：H薄膜结构调整
ISSN号	1000324X
其他题名	Effect of high-temperature annealing on the structure of reactive-sputtering a-SiC:H films
中文摘要	通过红外透射谱、拉曼散射谱和X射线衍射谱的测量，研究了反应溅射制备的氢化非晶硅碳膜（SP-a-SiC：H）高温退人处理后的结构变化。发现在等时退火的情况下，退火温度对薄膜结构影响明显，H原子的逸出温度与键合有关，H从CHn中逸出要比从SiHn键中追出需要更高的温度，样品经800℃退火后，a－SiC：H膜转化为μc－SiC膜
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101501]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王印月,王辉耀,王吉政,等. 高温退火对反应溅射制备的a-SiC:H薄膜结构的影响[J]. 无机材料学报/Wuji Cailiao Xuebao/Journal of Inorganic Materials,1997,12(3):351-355.
APA	王印月,王辉耀,王吉政,郭永平,&陈光华.(1997).高温退火对反应溅射制备的a-SiC:H薄膜结构的影响.无机材料学报/Wuji Cailiao Xuebao/Journal of Inorganic Materials,12(3),351-355.
MLA	王印月,et al."高温退火对反应溅射制备的a-SiC:H薄膜结构的影响".无机材料学报/Wuji Cailiao Xuebao/Journal of Inorganic Materials 12.3(1997):351-355.