用紫外光电子能谱研究a-Si_(1-x)C_x_H的价带特性

	用紫外光电子能谱研究a-Si_(1-x)C_x_H的价带特性
	张仿清; 徐希翔; 陈光华; 蒋致诚; 陈正石; 齐尚奎
刊名	物理学报
	1986-09-28
期号	9 页码:1253-1258
关键词	价带:7776 紫外光电子能谱:4164 a-Si:3353 自然氧化:1526 溅蚀:1316 悬键:1250 电子能带:1231 重掺杂:1183 合金薄膜:1097 原子键合:1088
其他题名	用紫外光电子能谱研究a-Si_(1-x)C_x:H的价带特性
中文摘要	用UPS技术获得了GD a-Si_(1-x)C_x:H合金薄膜的价带谱,分析了掺杂和表面氧化对价带谱的影响,并结合XPS,AES等电子能谱测试手段,对这种材料的价电子分布和键合特性作了初步的研究。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101486]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张仿清,徐希翔,陈光华,等. 用紫外光电子能谱研究a-Si_(1-x)C_x_H的价带特性[J]. 物理学报,1986(9):1253-1258.
APA	张仿清,徐希翔,陈光华,蒋致诚,陈正石,&齐尚奎.(1986).用紫外光电子能谱研究a-Si_(1-x)C_x_H的价带特性.物理学报(9),1253-1258.
MLA	张仿清,et al."用紫外光电子能谱研究a-Si_(1-x)C_x_H的价带特性".物理学报 .9(1986):1253-1258.