用硅烷和乙烯辉光放电法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜及光电性能的研究

	用硅烷和乙烯辉光放电法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜及光电性能的研究
	陈光华; 张仿清; 杜宁; 徐希翔; 黄士生; 刘智
刊名	半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
	1983-03-02
卷号	4 期号:2 页码:149-153
关键词	辉光放电法:6811 光电性能:6195 乙烯:1858 光学带隙:1511 太阳能电池:1377 硅烷:1353 衬底温度:1237 吸收谱:1189 光电导特性:1184 含碳量:1182
ISSN号	02534177
其他题名	ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF AN a-SixC1 - x:H FILM PREPARED BY THE GLOW DISCHARGE DECOMPOSITION OF SiH4 AND C2H4.
通讯作者	Chen Guanghua
中文摘要	本文主要介绍应用辉光放电法制备的,光电性能优良的 a-S1_xC_1 x: H 薄膜的最佳工艺条件、红外吸收光谱、光学带隙E_(opt)同x的关系、ESCA和ESR的测量结果,井对这些实验结果进行了初步讨论.
学科主题	549 Nonferrous Metals and Alloys - 701 Electricity and Magnetism - 712 Electronic and Thermionic Materials - 801 Chemistry - 804 Chemical Products Generally
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101480]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈光华,张仿清,杜宁,等. 用硅烷和乙烯辉光放电法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜及光电性能的研究[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,1983,4(2):149-153.
APA	陈光华,张仿清,杜宁,徐希翔,黄士生,&刘智.(1983).用硅烷和乙烯辉光放电法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜及光电性能的研究.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,4(2),149-153.
MLA	陈光华,et al."用硅烷和乙烯辉光放电法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜及光电性能的研究".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 4.2(1983):149-153.