酞菁铜（CuPc）薄膜器件的制备及其电双稳特性

	酞菁铜（CuPc）薄膜器件的制备及其电双稳特性
	李训栓; 彭应全; 宋长安; 杨青森; 赵明; 袁建挺; 王宏
刊名	真空科学与技术学报/Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Journal of Vacuum Science and Technology
	2008-09-15
卷号	28 期号:5 页码:394-398
关键词	I-V曲线电双稳特性转变电压 Active layers Bi-stability Bistable Bottom electrodes Copper phthalocyanine (CuPc) Copper phthalocyanines Cupc films Electrical Electrical bistabilities Electrical bistable effect Fabrication of thin films Growth conditions I-V curve Indium-tin-oxide Switching voltage Switching voltages
ISSN号	16727126
其他题名	Fabrication of thin film device with copper phthalocyanine active layer and its electrical bistability
通讯作者	Li, X. (yqpeng@lzu.edu.cn)
中文摘要	一些无机半导体器件和许多有机薄膜器件都具有电双稳特性。通过对CuPc有机薄膜器件的I-V曲线的分析,说明CuPc薄膜器件具有明显的电双稳特性。研究了膜厚对器件I-V特性的影响,结果表明CuPc膜厚达到750 nm器件才表现出明显的电双稳特性,此时跳变电压为7.51 V。Ag底电极器件的转变电压(9.6 V)与ITO底电极器件的转变电压(7.47 V)不同,简要分析了造成这种区别的原因。并对器件电双稳态特性的形成机理进行了解释。
学科主题	714.2 Semiconductor Devices and Integrated Circuits;804.1 Organic Compounds;804.2 Inorganic Compounds;933.1.2 Crystal Growth;813.1 Coating Techniques;931.1 Mechanics;931.3 Atomic and Molecular Physics;913.4 Manufacturing;712.1 Semiconducting Materials;708.4 Magnetic Materials;408.2 Structural Members and Shapes;544.1 Copper;546.2 Tin and Alloys;547.1 Precious Metals;549.3 Nonferrous Metals and Alloys excluding Alkali and Alkaline Earth Metals;708.2 Conducting Materials
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101342]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李训栓,彭应全,宋长安,等. 酞菁铜（CuPc）薄膜器件的制备及其电双稳特性[J]. 真空科学与技术学报/Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Journal of Vacuum Science and Technology,2008,28(5):394-398.
APA	李训栓.,彭应全.,宋长安.,杨青森.,赵明.,...&王宏.(2008).酞菁铜（CuPc）薄膜器件的制备及其电双稳特性.真空科学与技术学报/Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Journal of Vacuum Science and Technology,28(5),394-398.
MLA	李训栓,et al."酞菁铜（CuPc）薄膜器件的制备及其电双稳特性".真空科学与技术学报/Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Journal of Vacuum Science and Technology 28.5(2008):394-398.