Au_(Si_SiO_2)_p型Si结构的可见电致发光研究

	Au_(Si_SiO_2)_p型Si结构的可见电致发光研究
	马书懿; 王印月; 刘雪芹
刊名	功能材料与器件学报
	2000-12-30
期号	4 页码:354-356
关键词	Si/SiO_2薄膜电致发光发光中心
其他题名	Au/(Si/SiO_2)/p型Si结构的可见电致发光研究
中文摘要	Si SiO2 薄膜采用射频磁控溅射技术制备 ,当正向偏压大于 5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au (Si SiO2 ) p Si结构在室温下的可见电致发光 ,其发光谱峰位均位于 6 6 0nm处 ,测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。实验结果表明光发射主要来自于SiO2 层中的发光中心上的复合发光。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101090]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	马书懿,王印月,刘雪芹. Au_(Si_SiO_2)_p型Si结构的可见电致发光研究[J]. 功能材料与器件学报,2000(4):354-356.
APA	马书懿,王印月,&刘雪芹.(2000).Au_(Si_SiO_2)_p型Si结构的可见电致发光研究.功能材料与器件学报(4),354-356.
MLA	马书懿,et al."Au_(Si_SiO_2)_p型Si结构的可见电致发光研究".功能材料与器件学报 .4(2000):354-356.