短周期超晶格AlP_GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁

	短周期超晶格AlP_GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁
	张福甲; 王德明; 孟雄晖; 刘凤敏; 甘润今
刊名	半导体光电
	1997-12-30
卷号	15 期号:6 页码:375-379, 425
关键词	AlP／GaP超晶格能带结构光跃迁
ISSN号	02581825
其他题名	Transformation of energy band structure for AIP/GaP short period superlattice and its optical transition of band-gap
中文摘要	介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101062]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张福甲,王德明,孟雄晖,等. 短周期超晶格AlP_GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁[J]. 半导体光电,1997,15(6):375-379, 425.
APA	张福甲,王德明,孟雄晖,刘凤敏,&甘润今.(1997).短周期超晶格AlP_GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁.半导体光电,15(6),375-379, 425.
MLA	张福甲,et al."短周期超晶格AlP_GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁".半导体光电 15.6(1997):375-379, 425.