| 一种可见光响应的碳@石墨相氮化碳薄膜电极及其制备方法 | |
| 赵旭; 王雁; 齐璠静; 柴步喻; 陈禹彤 | |
| 2016-03-21 | |
| 专利国别 | CN |
| 专利号 | CN105800953 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 权利人 | 中国科学院生态环境研究中心 |
| 中文摘要 | 本发明属于无机非金属材料技术领域，公开了一种可见光响应的碳@石墨相氮化碳薄膜电极及其制备方法。该薄膜电极由碳和石墨相氮化碳组成，具有较强的可见光响应性能。本发明还提供碳@石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法。以制备的电极为光阳极，当工作电极的有效面积为6cm2,电解质为0.05mol/L的硫酸钠溶液，外加偏压为0.5V，300W氙灯为辐射光源时，薄膜电极的光电流密度在0.2?10μA/cm2内可调。本发明工艺设备简单，操作性强，适于规模化生产。 |
| 英文摘要 | 一种具有可见光活性的碳@石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，包括如下步骤：(1)将双氰胺或三聚氰胺等原料放入马弗炉中煅烧，得到C3N4原材料；然后将一定量的C3N4原材料放入10mL浓硫酸(98wt％)中室温搅拌8h，进行剥离，之后将溶液缓慢倒入100mL去离子水中,多次离心洗涤至中性，得到C3N4纳米片；(2)将C3N4纳米片分散到去离子水溶液中，并加入纺丝助剂聚乙烯吡咯烷酮或聚氧化乙烯，得到纺丝前驱体；然后将纺丝前驱体进行静电纺丝，得到PVP?C3N4薄膜电极；(3)将PVP?C3N4薄膜电极进行高温煅烧，煅烧条件为，第一段：室温至500℃，升温速率为2℃/min?1，保温时间为4h；第二段：500℃至550℃，升温速率为1℃/min?1，保温时间为4h，煅烧之后得到碳@石墨相氮化碳薄膜电极。 |
| 申请日期 | 2016-03-21 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201610161140 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.rcees.ac.cn/handle/311016/37118]  |
| 专题 | 生态环境研究中心_环境水质学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵旭,王雁,齐璠静,等. 一种可见光响应的碳@石墨相氮化碳薄膜电极及其制备方法. CN105800953. 2016-03-21. |
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