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题名	掺磷氮化硅薄膜钝化特性的研究
作者	王洪喆
答辩日期	2016-04-28 ; 2015-08-19
导师	陈朝
关键词	晶体硅太阳电池 钝化 掺磷氮化硅 负的固定电荷 光致增强现象 crystalline silicon solar cell passivation phosphorus-doped silicon nitride negative fixed charge light-induced enhancement phenomenon
英文摘要	晶体硅太阳能电池因其原料丰富、光电转换效率较高、稳定性好、工作寿命长、制备技术成熟等优异特性，长久以来一直占据着光伏市场的主导地位。光电转换效率是晶体硅太阳能电池的关键技术指标之一。众所周知，晶体硅表面钝化可以有效地降低太阳电池的表面复合损失，从而显著提高太阳电池的光电转换效率。目前工业界普遍采用PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaoporDeposition)法制备氮化硅薄膜做为晶体硅的表面钝化层。然而，该薄膜中存在的大量正的固定电荷，仅适用于p型衬底的晶体硅太阳电池的表面钝化。目前，以n型硅为衬底的高效率电池正在成为研究热点，因此带负的固定电荷的薄膜对p型硅表面进行...; Crystalline silicon (c-Si) solar cell has long been dominated PV market, due to its outstanding properties, such as abundant raw materials, high photoelectric conversion efficiency, good stability, long working life, and mature manufacturing technology. And one of the key technical parameters of c-Si solar cells is the photoelectric conversion efficiency. As known to us, surface passivation can ef...; 学位：理学博士; 院系专业：能源学院_光伏工程; 学号：32420110153849
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=54246
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/131130]
专题	能源院－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王洪喆. 掺磷氮化硅薄膜钝化特性的研究[D]. 2016, 2015.

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