| 题名 | 被动调Q微片激光器中直接产生Ince-Gaussian模式机理的研究; Study on the Mechanism of Directly Generating Ince-Gaussian Modes in Passively Q-switched Microchip Lasers |
| 作者 | 白胜闯 |
| 答辩日期 | 2017-02-10 ; 2016-12-12 |
| 导师 | 董俊 |
| 关键词 | 被动调Q微片激光器 IG激光模式 空间调制作用 热透镜效应 Cr4+:YAG passively Q-switched (PQS) microchip laser IG modes spatial modulation thermal lens effect Cr4+:YAG |
| 英文摘要 | Ince-Gaussian（IG）激光光束是椭圆坐标系中傍轴波动方程的第三种完整解，相较于拉盖尔-高斯（Laguerre-Gaussian，LG）和厄米特-高斯（Hermite-Gaussian，HG）激光光束它具有更为丰富的横向光场分布和灵活的多样性，在高分辨率图像处理、原子冷却、微粒子激光调控、形成复杂光学陷阱等领域具有巨大的应用潜力，因此得到了科研人员的广泛关注。为了阐明被动调Q微片激光器中直接产生IG激光模式的机理，本论文从激光增益介质、入射泵浦光光强大小、入射泵浦光斑面积、可饱和吸收体、反转粒子数的空间分布以及晶体热效应等对被动调Q微片激光器直接产生IG模式激光输出的影响等方面进行了...; Compare to Laguerre-Gaussian (LG) and Hermite-Gaussian (HG) modes, Ince-Gaussian (IG) modes have more abundant transverse light field distributions and flexible diversities, and have great potential applications in high-resolution image processing, atomic cooling, microparticle control, optical trapping and other fields. Therefore, the generation of IG mode lasers has been a highlight and attracte...; 学位：工学博士; 院系专业：信息科学与技术学院_电子科学与技术; 学号：23120130154266 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=59222 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134829]  |
| 专题 | 信息技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 白胜闯. 被动调Q微片激光器中直接产生Ince-Gaussian模式机理的研究, Study on the Mechanism of Directly Generating Ince-Gaussian Modes in Passively Q-switched Microchip Lasers[D]. 2017, 2016. |
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