| 题名 | GaN材料及MSM结构紫外光电探测器的研究与制备 |
| 作者 | 陈小红 |
| 答辩日期 | 2002 ; 2002-09-04 |
| 关键词 | GaN PL XRD Raman MSM 紫外探测器 剥离工艺 GaN PL XRD Raman MSM UV photodetector lift-off |
| 英文摘要 | GaN是最有前景的直接跃迁宽带隙半导体材料之一，它具有优良的光电性质和优异的机械性能，被认为是制备短波长光电子器件的最佳材料之一。紫外光电探测器可用于科研、军事、太空、环保和其它许多工业领域中。而金属-半导体-金属（MSM）结构的器件因其平面型，工艺简单，便于集成等优点倍受人们的青睐。因此，近年来，用GaN材料制备的MSM光电探测器是人们研究的热门课题之一。本文依据MSM结构探测器的工作原理，设计了器件的结构参数，并分别以蓝宝石和GaAs为衬底材料生长了六方结构和四方结构的GaN材料，在此基础上制备出GaN-MSM紫外光探测器，并取得了一些有意义的结果,我们的器件光响应度最好可达0.21A/W...; GaN has direct, wide bandgap and is one of the most promising material. It's good electrical, optical characteristics and excellent mechanical properties make it one of the most ideal choices for short wave photoelectron devices, such as ultraviolet photodetectors.Potential uses of such (UV) photodetectors include scientific research, military, space-based, envirommental and some industrial applic...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：199924013 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=2170 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/55122]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈小红. GaN材料及MSM结构紫外光电探测器的研究与制备[D]. 2002, 2002. |
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