| 题名 | GaN基LED中极化效应的研究与应用; Research and utilization of polarization effects in GaN based LED |
| 作者 | 郑清洪 |
| 答辩日期 | 2009 ; 2009 |
| 导师 | 刘宝林 |
| 关键词 | 极化效应 超晶格 内量子效率 polarization effect superlattice Internal quantum efficiency |
| 英文摘要 | 本论文结合科研项目，针对III-V族氮化物中存在的极化电场，自洽求解薛定谔方程和泊松方程。提出了利用及消除极化电场的方法，为GaN基LED工艺优化提供理论基础，并通过实验降低p型GaN欧姆接触电阻，提高LED的内量子效率。所做的研究工作主要分三个部分：计算机模拟极化电场影响下，量子阱和超晶格中的一维薛定谔方程和柏松方程的自洽求解。计算得到电子和空穴的各级本征函数和本征值，该方法可以推广到求解任意势中的定态薛定谔方程。根据极化电场使能带发生摆动，提高Mg杂质的离化率，增大空穴浓度，提出利用InGaN/AlGaN超晶格做GaN基LED的p型接触顶帽层，降低欧姆接触电阻并充当电流扩展层作用。计算比较...; Based on the polarization effect in III-V nitride, we solve self-consistently the Schrödinger and Poisson equation. Both utilization and elimination of the polarization field are proposed. Experimentally, specific contact resistance to p-GaN is reduced and internal quantum efficiency of LED is improved. The main work we have done are listed as follows, Solving self-consistently the Schrö...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：19820061151802 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=22213 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/55088]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑清洪. GaN基LED中极化效应的研究与应用, Research and utilization of polarization effects in GaN based LED[D]. 2009, 2009. |
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