| 题名 | NiGe(Si)薄膜的热稳定性及其与Ge(Si)接触电学特性研究; Thermal stability of NiGe(Si) films and eletrical characteristics of NiGe(Si)/Ge(Si) contacts |
| 作者 | 汤梦饶 |
| 答辩日期 | 2013 ; 2013 |
| 导师 | 李成 |
| 关键词 | Ni(Si1-xGex) NiGe 热稳定性 费米能级钉扎效应 势垒高度 Ni(Si1-xGex) NiGe Thermal stability Fermi-level pinning effect Schottky barrier height |
| 英文摘要 | SiGe和Ge材料拥有比硅材料更高的载流子迁移率且与硅工艺相兼容等优点，是制备高速器件的理想材料。Ni(Si1-xGex)和NiGe合金具有低的薄膜电阻率和低的形成温度等优点，是实现SiGe或GeMOSFET器件源漏区的重要接触电极材料。本文围绕Ni(Si1-xGex)和NiGe薄膜的热稳定性以及Ni(Si1-xGex)/SiGe和NiGe/Ge的接触电学特性，较系统地研究了Ni(Si1-xGex)形成过程中Ge的偏析、相变和表面形貌等特性，分析了Ge组份及其偏析对Ni(Si1-xGex)/SiGe接触电学性质的影响，提出了提高NiGe薄膜热稳定性和改善NiGe/n-Ge欧姆接触电学特性的新方...; SiGe and Ge are promising channel materials for future semiconductor devices because of their higher carrier mobility and compatibility with main-stream Si technologies. Ni(SiGe) and NiGe are the promising materials for the drain and source contacts in SiGe and Ge MOSFETs due to their low sheet resistance and low formation temperature. In this dissertation, Ge segregation, phase transition and sur...; 学位：工学博士; 院系专业：物理与机电工程学院_微电子学与固体电子学; 学号：19820100154014 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=40771 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/79058]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汤梦饶. NiGe(Si)薄膜的热稳定性及其与Ge(Si)接触电学特性研究, Thermal stability of NiGe(Si) films and eletrical characteristics of NiGe(Si)/Ge(Si) contacts[D]. 2013, 2013. |
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