| 题名 | 多晶硅定向凝固过程典型杂质的迁移机理与分布规律研究; Study on the Transfer and Distribution Mechanism of Typical Impurities During Directional Solidification ofMulti-crystalline Silicon |
| 作者 | 甘传海 |
| 答辩日期 | 2017-01-06 ; 2016-05-18 |
| 导师 | 罗学涛 ; 盛之林 |
| 关键词 | 多晶硅 定向凝固 杂质迁移 Multi-crystalline silicon Directional solidification Impurity transfer |
| 英文摘要 | 定向凝固方法是去除多晶硅中典型金属杂质的有效途径。本研究通过实验探索，并结合热力学和动力学，研究多晶硅中的金属杂质、夹杂相杂质和气泡在定向凝固过程的迁移机理与分布规律；探究典型杂质的传输与分布规律、夹杂相杂质的形成机理以及气泡的形核和生长机理。主要研究结果如下： (1)研究冶金级硅定向凝固过程铁杂质的传输与分布规律。实验发现铁杂质含量沿晶体生长方向并未完全符合Scheil定理，而是保持恒定，达到某一凝固分数后快速递增；晶格与晶界的杂质比较，晶界处铁杂质含量比晶内的高出一个数量级；硅熔体对流对杂质传输与分布起到重要作用，使得杂质含量呈现出中间多、边缘少的规律。根据质量守恒定理，计算得到铁杂质有...; Directional solidification is an effective method to remove typical impurities in multi-crystalline silicon. In the present paper, multi-crystalline silicon growth was carried out by directional solidification method. Transfer and distribution mechanism of metallic-impurities, insoluble inclusions and bubbles were investigated by experiments during the directional solidification of multi-crystalli...; 学位：工程硕士; 院系专业：材料学院_工程硕士(材料工程); 学号：20720131150088 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=55774 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/127896]  |
| 专题 | 材料学院－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 甘传海. 多晶硅定向凝固过程典型杂质的迁移机理与分布规律研究, Study on the Transfer and Distribution Mechanism of Typical Impurities During Directional Solidification ofMulti-crystalline Silicon[D]. 2017, 2016. |
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