| 题名 | 直拉单晶硅中氧沉淀和洁净区稳定性的研究; Investigation of oxygen precipitates and the stability of denuded zone in Czochralski silicon |
| 作者 | 吕耀朝 |
| 答辩日期 | 2017-01-06 ; 2016-05-20 |
| 导师 | 徐进 |
| 关键词 | 直拉单晶硅 氧沉淀 洁净区 Czochralski silicon oxygen precipitates denuded zone |
| 英文摘要 | 铜在硅中不仅具有很大的扩散速率，而且随着温度的降低它的固溶度迅速下降，这两个特性使得铜原子很容易在器件制备过程中沉淀下来，严重影响硅片性能。虽然科研工作者们已经提出了多种工艺使硅片近表面处形成洁净区，但却很少对硅中的氧沉淀和洁净区的稳定性进行深入探讨。因此，本文通过实验分析了氧沉淀和洁净区的稳定性，得出以下结论： （1）研究了热处理方式和铜引入温度对洁净区的形成及其稳定性的影响。研究发现，只有Ramping-低-高热处理能使硅片内生成大量氧沉淀的同时有效形成洁净区。引入铜玷污后，RTP-低-高热处理形成的洁净区宽度随铜引入温度的升高而变窄；Ramping-低-高热处理能有效的保持洁净区宽度，...; Copper atoms easily precipitate during wafer preparation and device processing due to its high diffusion coefficient and the solubility decreases with the decreasing of temperature in silicon, which is detrimental to the property of silicon wafer. Although, some effective heat treatments were proposed to form denuded zone, the stability of denuded zone and oxygen precipitates in silicon are seldom...; 学位：工学硕士; 院系专业：材料学院_材料物理与化学; 学号：20720131150063 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=55738 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/127813]  |
| 专题 | 材料学院－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕耀朝. 直拉单晶硅中氧沉淀和洁净区稳定性的研究, Investigation of oxygen precipitates and the stability of denuded zone in Czochralski silicon[D]. 2017, 2016. |
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