QQ客服 官方微博 反馈留言

	异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用; d State Effects in Theoretical Calculations of Band Offset in Heterostructures
	王仁智 ; 黄美纯 ; 柯三黄
	1991-09
关键词	异质结 价带边不连续 Heterostructures Valence-band offsets
英文摘要	【中文摘要】 由半导体的LMTO能带计算平均健能E_1,并以平均键能E_1作为参考能级计算共阴离子异质结的△E值.在LMTO能带计算中采用不同处理d态的计算方法,系统地研究d态在△E,理论计算中的作用,研究结果表明,d态对主要能带的杂化程度显著地影响△E值;适当处理d态之后,以E为参考能级的△E计算方法可以得到接近于界面自洽方法(SCIC或SCSC)的准确结果。 【英文摘要】 A first-principles approach for calculating the band offset △Ev in heterostructures with a common anion is presented. The ab iniio density functional LMTO calculation allows us to derive the average bond-antibands energy Eh which is considered as a reference level in our study. In this calculations,the d states are taken into account in some different schemes and the d state effects are revealed in band offset calculations. It is shown that the extent of d state hybridizing with the main band states plays a...; 厦门大学自然科学基金
语种	中文
出版者	《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/9830]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王仁智,黄美纯,柯三黄. 异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用, d State Effects in Theoretical Calculations of Band Offset in Heterostructures[J],1991.
APA	王仁智,黄美纯,&柯三黄.(1991).异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用..
MLA	王仁智,et al."异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用".(1991).

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。