硅刻蚀现场研究的表面拉曼光谱技术

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	硅刻蚀现场研究的表面拉曼光谱技术
	刘峰名 ; 任斌 ; 田中群
刊名	http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GUAN200006027&dbname=CJFQ2000
	2000-12-25
关键词	显微拉曼光谱硅表面氧化
英文摘要	通过对拉曼谱仪和电极粗糙方法的优化 ,本文将表面拉曼光谱技术拓宽到了半导体硅电极表面的现场研究。文中观测了不同粗糙时间对硅刻蚀的影响 ,并实时考察了硅氢表面在开路电位下的氧化过程。实验结果表明 ,在以HF为主的湿法刻蚀中 ,硅表面的悬挂键主要被H而不是被F取代。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/21395]
专题	化学化工－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘峰名,任斌,田中群. 硅刻蚀现场研究的表面拉曼光谱技术[J]. http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GUAN200006027&dbname=CJFQ2000,2000.
APA	刘峰名,任斌,&田中群.(2000).硅刻蚀现场研究的表面拉曼光谱技术.http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GUAN200006027&dbname=CJFQ2000.
MLA	刘峰名,et al."硅刻蚀现场研究的表面拉曼光谱技术".http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GUAN200006027&dbname=CJFQ2000 (2000).