CORC  > 上海交通大学
单壁碳纳米管场效应晶体管的制备工艺研究
黄改燕 ; 陈长鑫 ; 张亚非
刊名http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTQ200802009&dbname=CJFQ2008
2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词单壁碳纳米管 碳纳米管场效应晶体管 肖特基势垒 超声纳米焊接 原位生长
中文摘要综述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的主要结构和导电沟道的制备工艺,如AFM探针操控、CVD原位生长、交流介电泳和L-B大面积操控排布等方法。在对CNTFET的这些结构和制备工艺进行详细分析的基础上,着重指出目前CNTFET导电沟道制备中存在的诸如金属性单壁碳纳米管(SWCNT)的烧除、接触电阻大、滞后现象以及p型CNTFET转化等问题,并针对这些问题提出了具体可行的解决方案。
语种中文
其他责任者上海交通大学微纳米科学技术研究院 微/纳米加工技术国家级重点实验室 ; 薄膜与微细技术教育部重点实验室 ; 上海交通大学微纳米科学技术研究院 ; 微/纳米加工技术国家级重点实验室 ; 上海200030
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.calis.edu.cn/hdl/231030/2638]  
专题上海交通大学
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GB/T 7714
黄改燕,陈长鑫,张亚非. 单壁碳纳米管场效应晶体管的制备工艺研究[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTQ200802009&dbname=CJFQ2008,2012, 2012.
APA 黄改燕,陈长鑫,&张亚非.(2012).单壁碳纳米管场效应晶体管的制备工艺研究.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTQ200802009&dbname=CJFQ2008.
MLA 黄改燕,et al."单壁碳纳米管场效应晶体管的制备工艺研究".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTQ200802009&dbname=CJFQ2008 (2012).
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