| 低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究 | |
| 刘鹏 ; 李伟 ; 叶双莉 ; 任天令 ; 刘理天 ; LIU Peng ; LI Wei ; YE Shuang-li ; REN Tian-ling ; LIU Li-tian | |
| 2010-07-15 ; 2010-07-15 | |
| 会议名称 | 第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集 ; 第十届全国敏感元件与传感器学术会议 ; 中国北京 ; CNKI ; 全国敏感元件与传感器学术团体联合组织委员会 |
| 关键词 | 巨磁电阻传感器 自旋阀 矫顽力 退火 单畴模型 GMR sensor spin valve coercivity annealing single domain model TP212 |
| 其他题名 | Study on GMR Magnetic Sensor with Low Coercivity and the Single Domain Model |
| 中文摘要 | 在硅片上制备结构为 Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta 的 IrMn 顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的 GMR 磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120 Oe 时,GMR 芯片的矫顽力可以降至0．2 Oe 以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应。利用 Mat- lab 计算 GMR 芯片的 M_(e(?))-H 曲线,所得到的计算结果与实验结果一致。所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与 GMR 磁传感器的性能有着密切的关系。; IrMn top spin valves,with the structure of Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/ Ta,were formed on Si substrate.A series of GMR(giant magnetic resistance) magnetic sensor chips were fabricated based on these spin valves.By an annealing procedure with a weak applied magnetic field,the direction of the easy axis of spin valve films could be changed.When the an- nealing temperature was 150℃ and the magnetic field was 120 Oe,the coercivity of the GMR chips could be reduced to less than 0.2 Oe.In addition,a single domain model of free layer in spin valve was established to explain the annealing effect.After simulating the M_(eff)-H curves of the GMR chips,the simulation results coincide with the experiment results.Therefore,the per- formance of the GMR magnetic sensors is strongly related to the direction of the easy axis of free layer in spin valves. |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/70111]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘鹏,李伟,叶双莉,等. 低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究[C]. 见:第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集, 第十届全国敏感元件与传感器学术会议, 中国北京, CNKI, 全国敏感元件与传感器学术团体联合组织委员会. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论