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	SiGe/Ge/SiGe异质结构中自旋极化输运特性的模拟
	邹建平 ; 田立林 ; 余志平 ; Zou Jianping ; Tian Lilin ; Yu Zhiping
	2010-06-09 ; 2010-06-09
关键词	自旋场效应晶体管 Rashba自旋轨道相互作用 蒙特卡罗方法 spin-FET Rashba spin-orbit interaction Monte Carlo approach TN304
其他题名	Simulation of Spin-Polarized Transport in SiGe/Ge/SiGe Heterostructure
中文摘要	利用蒙特卡罗方法对SiGe/Ge/SiGe异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究 .在Ge沟道调制掺杂异质结构形成的二维空穴气中 ,空穴的自旋进动主要受Rashba自旋轨道相互作用控制 .在 77～ 30 0K的温度范围内 ,对自旋散射长度、自旋极化率等自旋极化输运特性进行了研究 .模拟结果显示 ,低温和窄宽度沟道有利于减小散射对自旋极化输运的影响 ,避免自旋极化率衰减 ,增大自旋散射长度 .栅控的漏端电流自旋相关效应使器件跨导增大 ,并产生负跨导效应 .; The Monte Carlo approach is utilized to study spin-polarized transport in SiGe/Ge/SiGe heterostructure.The hole spin precession is controlled by the Rashba spin-orbit interaction in 2DHG formed in Ge channel modulation-doped structure.Spin-polarized properties,including the spin scattering length and the spin polarization,are investigated at the temperature ranging from 77 to 300K.Simulation results from Monte-Carlo show that at a low temperature or by a narrow 2D-channel,the spin relaxation can be effectively reduced and the spin scattering length can be increased.The gate-controlled spin effect of the drain current induces a large improvement of transconductance,or a negative transconductance effect.; 国家重点基础研究发展规划资助项目 (批准号 :2 0 0 2CB3 1190 7)~~
语种	中文 ; 中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://hdl.handle.net/123456789/56955]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	邹建平,田立林,余志平,等. SiGe/Ge/SiGe异质结构中自旋极化输运特性的模拟[J],2010, 2010.
APA	邹建平,田立林,余志平,Zou Jianping,Tian Lilin,&Yu Zhiping.(2010).SiGe/Ge/SiGe异质结构中自旋极化输运特性的模拟..
MLA	邹建平,et al."SiGe/Ge/SiGe异质结构中自旋极化输运特性的模拟".(2010).

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