热压烧结碳化硅陶瓷的氧化性能

CORC > 清华大学

	热压烧结碳化硅陶瓷的氧化性能
	唐汉玲 ; 曾燮榕 ; 熊信柏 ; 李龙 ; 邹继兆
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GXGC200709003&dbname=CJFQ2007
	2012-04-27 ; 2012-04-27
关键词	SiC陶瓷等温氧化非等温氧化
中文摘要	采用硅作为烧结助剂热压烧结SiC陶瓷,用扫描电镜、X射线衍射仪和热重分析仪研究了不同状态SiC陶瓷的氧化性能。结果表明:未预处理SiC在等温氧化过程中,600~1 100℃区间内,等温氧化动力学曲线服从抛物线规律;而在1 100~1 300℃区间,则偏离了抛物线规律,氧化速率随温度的升高先增大后减小。经过高温预氧化处理之后,SiC试样在等温氧化过程中,氧化动力学曲线为直线,较未预处理试样氧化增重显著减少;连续升温氧化过程中,和未预处理试样相比,剧烈氧化开始温度升高,同时其氧化速率及最终的氧化增重均大幅度降低。说明了高温预氧化处理能够有效提高SiC陶瓷的抗氧化性能。
语种	中文
其他责任者	西北工业大学材料科学与工程学院 ; 深圳大学材料科学与工程学院 ; 西北工业大学材料科学与工程学院陕西西安710072 ; 广东深圳518060 ; 深圳市特种功能材料重点实验室 ; 陕西西安710072
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/244041/1156]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	唐汉玲,曾燮榕,熊信柏,等. 热压烧结碳化硅陶瓷的氧化性能[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GXGC200709003&dbname=CJFQ2007,2012, 2012.
APA	唐汉玲,曾燮榕,熊信柏,李龙,&邹继兆.(2012).热压烧结碳化硅陶瓷的氧化性能.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GXGC200709003&dbname=CJFQ2007.
MLA	唐汉玲,et al."热压烧结碳化硅陶瓷的氧化性能".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GXGC200709003&dbname=CJFQ2007 (2012).