| ZnS电子结构的第一性原理研究 | |
| 魏雪松,钮应喜,吕海萍等 | |
| 2015-09-23 ; 2015-09-23 | |
| 关键词 | ZnS,电子结构,第一性原理 |
| 中文摘要 | 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法对ZnS的电子结构进行了研究.研究结果表明:理论预测ZnS是一种直接宽禁带半导体材料,直接带隙宽度为2.20eV,这个结果比实验值要小1.5eV左右;ZnS的下价带主要由Zn的3d电子贡献,上价带主要由S的3p电子形成,导带主要来源于Zn的4s电子和S的3p电子的贡献;在ZnS晶体中Zn原子失去电子,S原子得到电子,Zn-S键是共价键. |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://ir.calis.edu.cn/hdl/232060/17016]  |
| 专题 | 中国矿业大学（徐州） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏雪松,钮应喜,吕海萍等. ZnS电子结构的第一性原理研究[J],2015, 2015. |
| APA | 魏雪松,钮应喜,吕海萍等.(2015).ZnS电子结构的第一性原理研究.. |
| MLA | 魏雪松,钮应喜,吕海萍等."ZnS电子结构的第一性原理研究".(2015). |
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