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	王振友; 吴海信; 毛明生; 倪友保; 黄昌保; 肖瑞春; 戚鸣
	2015
专利国别	中国
专利号	CN 104695022 A
专利类型	发明
权利人	中国科学院
申请日期	2015
专利申请号	201510103218.4
内容类型	专利
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/19815]
专题	合肥物质科学研究院_中科院安徽光学精密机械研究所
作者单位	中科院安徽光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王振友,吴海信,毛明生,等. 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途. CN 104695022 A. 2015-01-01.

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