单芯片多电极调控多波长发光二极管结构及制备方法
赵博 ; 李晋闽 ; 伊晓燕 ; 郭金霞 ; 马骏 ; 刘志强
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体所
学科主题半导体器件
公开日期2016-09-28
申请日期2015-01-07
专利申请号CN201510006038.4
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27620]  
专题半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
赵博,李晋闽,伊晓燕,等. 单芯片多电极调控多波长发光二极管结构及制备方法.
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