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	InP基HEMT肿瘤标志物传感器及制作方法
	张杨 ; 王成艳 ; 关敏 ; 丁凯 ; 张斌田 ; 林璋 ; 黄丰 ; 曾一平
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体所
学科主题	半导体材料
公开日期	2016-09-12
申请日期	2014-02-28
专利申请号	CN201410073112.X
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27366]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	张杨,王成艳,关敏,等. InP基HEMT肿瘤标志物传感器及制作方法.

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