| 一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构 | |
| 姚丹阳 ; 张锦川 ; 周予虹 ; 贾志伟 ; 闫方亮 ; 王利军 ; 刘俊岐 ; 刘峰奇 ; 王占国 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2016-08-30 |
| 申请日期 | 2014-09-30 |
| 专利申请号 | CN201410520059.3 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27290]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚丹阳,张锦川,周予虹,等. 一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构. |
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