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	一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
	李密锋 ; 喻颖 ; 贺继方 ; 査国伟 ; 尚向军 ; 倪海桥 ; 贺振宏 ; 牛智川
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体所
学科主题	半导体物理
公开日期	2016-08-30
专利申请号	CN201310088301.X
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27210]
专题	半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	李密锋,喻颖,贺继方,等. 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法.

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